Mega Power Dual-IGBT Module der sechsten Generation von Mitsubishi Electric

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Pressemeldung der Firma Mitsubishi Electric Europe B.V.

Mitsubishi Electric präsentiert seine Mega Power Dual- (MPD) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module der sechsten Generation. Diese Module sind auf den Einsatz in Wechselrichtern großer Photovoltaik- und Windkraftanlagen ausgerichtet, eignen sich aber auch hervorragend für Anwendungen mit hohem Leistungsbedarf im Bereich unterbrechungsfreier Stromversorgungssysteme oder für umrichtergespeiste Drehstromantriebe.

Mit den Carrier-Stored Trench-Gate Bipolar Transistoren (CSTBT) der sechsten Generation verringert sich die Kollektor-Emitter Sättigungsspannung im Vergleich zu den MPD-Modulen der fünften Generation um ca. 15 %. Gleichermaßen konnte die Gate-Kapazität um 30-50 % verringert werden. Zudem erhöht sich die maximal zulässige Sperrschicht-Temperatur auf 175 °C.

Die neuen MPD IGBT-Module der sechsten Generation sind in Bezug auf Abmes­sungen, Form und Pinkonfiguration kompatibel zu den MPD-Modulen der fünften Generation, wobei die Isolationsspannung auf 4000 V erhöht wurde. Die Module der neuen Serie sind erhältlich in den Varianten CM900DUC-24S (1200 V/900 A), CM1400DUC-24S (1200 V/1400 A) und CM1000DUC-34SA (1700 V/1000 A).

Die neue IGBT-Serie erfüllt alle Anforderungen der RoHS-Direktive.

Als Teil der Anstrengungen zur Begrenzung der weltweiten Klimaerwärmung durch die Reduktion von Kohlendioxid (CO2) Emissionen gewinnt die Stromerzeugung aus erneuerbaren Energien wie Wind- und Sonnenenergie zunehmend an Bedeutung. Die MPD-Serie der sechsten Generation wurde für den zunehmenden Bedarf nach effizienten und zuverlässigen Systemen zur Energiewandlung im Megawatt-Bereich entwickelt. Mega Power Dual Module der vorangegangenen fünften Generation sind bereits seit 2002 erfolgreich im Einsatz.



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